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Ein Patent von den Erfindern Tang, Yuhui (Milpitas, CA) Wei, Yaguang (Pleasanton, USA), ein Patent von den Erfindern Tang, Yuhui (Milpitas, CA) , CA) Lee, Jiun-Ting (Sunnyvale, CA), eingereicht am 9. September 2015. online veröffentlicht am 29. November 2016. nach Nachrichtenmeldung aus Alexandria, Virginia. Von VerticalNews-Korrespondenten. Die Patentnummer 9508364 ist Headway Technologies, Inc. (Milpitas, CA) zugewiesen. Das folgende Zitat wurde von den Nachrichtenredakteuren aus den Hintergrundinformationen erhalten, die von den Erfindern geliefert wurden: Eine senkrechte magnetische Aufzeichnung wurde teilweise entwickelt, um eine höhere Aufzeichnungsdichte zu erzielen, als dies mit Längsaufzeichnungsvorrichtungen realisiert wird. Ein PMR-Schreibkopf hat typischerweise eine Hauptpolschicht mit einer kleinen Oberfläche an einem ABS und Spulen, die einen Strom leiten und einen magnetischen Fluss in dem Hauptpol erzeugen, so dass der magnetische Fluss durch eine Schreibpolspitze austritt und in ein magnetisches Medium eintritt (Scheibe) neben dem ABS. Der magnetische Fluss wird verwendet, um eine ausgewählte Anzahl von Bits in dem magnetischen Medium zu schreiben und kehrt typischerweise zu dem Hauptpol über zwei Wege einschließlich einer nachlaufenden Schleife und einer führenden Schleife in einer Abschirmstruktur zurück. Die hintere Schleife weist eine nachlaufende Abschirmstruktur mit einer ersten und einer zweiten hinteren Abschirmungsseite an der ABS auf. Die zweite (PP3) nachlaufende Abschirmung wölbt sich über die Schreibspulen und verbindet sich mit einer Oberseite des Hauptpols über einer magnetischen Rückspaltverbindung. Die erste hintere Abschirmung hat eine Schicht mit hohem Moment (gt19 kG bis 24 kG), die eine heiße Keimschicht genannt wird, die an eine obere Oberfläche des Schreibspaltes angrenzt. Eine gute Reaktion des heißen Saatguts ist erforderlich, um Streufelder in den Seitenschildern und dem führenden Schild zu verringern und einen besseren Steigungsgradienten zu schaffen. Die Führungsschleife weist eine vordere Abschirmung mit einer Seite an dem ABS auf, die mit einem Rückführpfad in der Nähe des ABS verbunden ist. Der Rückführpfad erstreckt sich zu der Rückspaltverbindung und ermöglicht es, daß der magnetische Fluß in dem Führungsschleifenweg von dem vorderen Schild am ABS und durch die Rückspaltverbindung zum Hauptpol zurückkehrt. Ein PMR-Kopf, der die Merkmale eines einpoligen Schreibers und eines doppelschichtigen Mediums (Magnetplatte) kombiniert, hat einen großen Vorteil gegenüber dem LMR bei der Bereitstellung eines höheren Schreibfeldes, eines besseren Rücklesesignals und potentiell viel höherer Flächendichte. Sowohl bei der herkömmlichen (CMR) als auch bei der Schindel (SMR) - Magnetaufzeichnung ist eine kontinuierliche Verbesserung der Speicherbereichsdichte für einen PMR-Schreiber erforderlich. Ein Schreibkopf, der höhere Bits pro Inch (BPI) und höhere Spuren pro Inch (TPI) liefern oder verpacken kann, ist wesentlich für die Verbesserung der Flächendichte. Es ist ein vollständig um das Schilddesign für einen PMR-Schreibkopf gewickeltes Ziel erwünscht, bei dem die hintere Abschirmung für die Verbesserung des Abwärtsgeraden-Feldgradienten verantwortlich ist, während Seitenabschirmungen und eine führende Abschirmung die Quergleisfeldgradienten - und TPI - sowie die benachbarte Gleislöschleistung verbessern . Um eine breite benachbarte Spurlöschung (WATE) zu vermeiden, sind alle Abschirmungen vorzugsweise aus alt19 kG Material hergestellt. Eine doppelte Schreibabschirmung (DWS-Konstruktion) kann verwendet werden, bei der der Hauptpol und der heiße Samen in der ersten hinteren Abschirmung aus Material mit hohem Moment (gt19 kG bis 24 kG) bestehen, während die vordere Abschirmung und die Seitenabschirmungen aus einem 10- 16 kG Material, und die hintere Schildstruktur besteht aus 16-19 kG Material. Wenn die Schreibfähigkeit aufrechterhalten werden kann, werden ein dünnerer Schreibspalt an der Hauptpol-Hinterfläche und ein engerer Seitenspalt, der an die Hauptpol-Seiten in der Quer-Spur-Richtung angrenzt, für einen besseren Spur-Feldgradienten (Hygrad, BPI) Spur-Feldgradienten (Hygradx, TPI). Um die Schreibfähigkeit zu verbessern, ist die Reduzierung der Seitenabschirmung nicht nur wichtig, um das Hauptpolfluss-Nebenschlußsystem zu den Seitenabschirmungen zu verringern, sondern auch um ein größeres Hauptpolvolumen näher an dem ABS zu ermöglichen. Die Seitenabschirmungssättigung kann jedoch die Hygradx - und TPI-Fähigkeit beeinträchtigen und ist ein Problem mit fortgeschrittenen Seitenabschirmstrukturen mit einer Höhe von etwa 0,3 Mikron oder weniger. Der Schlüssel zu einer optimierten PMR-Schreiberstruktur ist die Fähigkeit, die Verteilung des magnetischen Flusses von dem Hauptpol zu jeder Abschirmung zu steuern. Idealerweise ist eine bessere Steuerung des magnetischen Flusses im Nahfeld oder in der Nähe des Hauptpols wünschenswert, um einen verbesserten Nahfeldgradienten zu erreichen und einen höheren ADC zu realisieren. Typischerweise wird die Flussverteilung durch Ändern der magnetischen Sättigung (Ms) von Materialien in den Abschirmungen und durch Modifizieren von Geometrien (Größe und Form) der Abschirmungen gesteuert. Jedoch sind zusätzliche Verfahren zum Abstimmen der Magnetflussverteilung erforderlich, um eine bessere Kontrolle und Flexibilität zu ermöglichen, um PMR-Schreiber mit einer höheren TPI-Fähigkeit für mindestens 400 K / in für CMR und mindestens 500 K / in für SMR zu ermöglichen. Zusätzlich zu den Hintergrundinformationen, die für dieses Patent erhalten wurden, erhielten die Journalisten von VerticalNews auch die Erfinder Zusammenfassungsinformationen für dieses Patent: Ein Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es, ein vollständiges Wrap-around-Schilddesign für einen PMR-Schreiber bereitzustellen, der ein Mittel ermöglicht Die die magnetische Flussverteilung von dem Hauptpol zu den Abschirmungen steuert. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Verteilen des magnetischen Flusses vom Hauptpol zu den Abschirmungen gemäß dem ersten Objektiv bereitzustellen, das auch mit lt19 kG-Materialien in den Abschirmungen und den aktuellen Geometrien der Abschirmungen kompatibel ist. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es, ein Herstellungsverfahren für eine AWA-Schildstruktur bereitzustellen, das die ersten beiden Ziele erfüllt. Gemäß einer ersten Ausführungsform werden diese Ziele mit einer PMR-Schreiberkonfiguration mit einer AWA-Konstruktion erreicht, wobei ein oder mehrere, und vorzugsweise alle Vorderabschirmungen, Seitenabschirmungen und Nachschirmbeschichtungen Verbundstoffe mit einer hohen Ms (gt19 bis 24 kG) sind ) - Magnetschicht mit einer Hauptpol-zugewandten Seite, die an einen vorderen Spalt, einen Seitenspalt und einen Schreibspalt angrenzt, und eine zweite Schicht aus einem magnetischen Material von 10-19 kG mit einem hohen Gilbert-Dämpfungs - (HD) - Parameter a vorzugsweise gt0. 04, die an eine Seite angrenzt, die der Hauptpolpolseite gegenüberliegt, die der hohen Ms-Schicht zugewandt ist. Der Wert a bezieht sich auf die Gilbert-Dämpfungskonstante G gemäß der Gleichung GayMs, wobei a der Dämpfungsparameter, y das gyromagnetische Verhältnis und Ms der magnetische Sättigungswert ist. Zumindest in der nachlaufenden Abschirmung liegt eine dritte magnetische Schicht aus einem 10-19 kG-Material an der dem Hauptpol abgewandten Seite der hochdämpfenden Magnetschicht an. Optional sind die Seitenabschirmungen und die Schutzabschirmung vollständig aus einer HD-Magnetschicht hergestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist die magnetische Schicht mit hoher Dämpfung FeNiRe mit einem Re-Gehalt zwischen 3 und 15 Atom. Jedoch können andere Legierungen, einschließlich FeCoRe, FeCoNiRe, FeNiM, FeCoM und FeCoNiM, wobei M eines von Os, Ir, Rh, Ti, Ta, V, Cr, W, Mn, Mo, Cu, Zr, Nb ist, Hf, Ru, Pd, Pt, Ag und Au können auch als magnetische Hochdämpfungsschicht verwendet werden. In einer Ausführungsform hat der Hauptpol eine sich verjüngende vordere Seite, die sich von dem ABS zu einer ersten Ecke erstreckt, wo die sich verjüngende vordere Seite mit einer Hauptpol-Vorderseite schneidet, die orthogonal zu dem ABS ausgebildet ist. Ebenso kann der Hauptpol eine sich verjüngende rückwärtige Seite aufweisen, die sich von dem ABS zu einer zweiten Ecke erstreckt, wo sich die verjüngte hintere Seite mit einer Hauptpol-Nachlaufseite schneidet, die senkrecht zum ABS ausgebildet ist. Hauptpol-gegenüberliegende Flächen der vorderen Abschirmschichten können im Wesentlichen parallel zur Hauptpol-verjüngten vorderen Seite ausgebildet sein, und jede vordere Abschirmungsschicht weist eine Rückseite auf, die entlang einer Ebene ausgebildet ist, die eine erste Höhe von der ABS ist, wobei die erste Höhe größer sein kann Abstand von der ABS als die erste Ecke. In ähnlicher Weise können die Hauptpol-gegenüberliegenden Flächen der zusammengesetzten hinteren Abschirmung im Wesentlichen parallel zur Hauptpol-verjüngten hinteren Seite ausgebildet sein, und jede hintere Abschirmungsschicht weist eine Rückseite auf, die entlang einer zweiten Ebene ausgebildet ist, die eine zweite Höhe von der ABS ist, wo die zweite Höhe ist Einen größeren Abstand von der ABS als die zweite Ecke. Aus einer ABS-Ansicht kann der Hauptpol eine trapezförmige Form aufweisen, wobei eine hintere Seite eine Spurbreite (TW) aufweist, die größer ist als eine Querspurbreite der vorderen Seite. Darüber hinaus kann jede der Seitenabschirmschichten eine Hauptpolseite aufweisen, die einer Seitenspaltschicht benachbart ist und im Wesentlichen parallel zur nächsten Hauptpolseite ist. Die an jeden Seitenspalt anschließende hohe Ms-Schicht hat eine Spurbreite von 20 bis 70 nm, während die magnetische Schicht mit hoher Dämpfungskonstante auf jeder Seite des Hauptpols eine Spurweite von mindestens 30 nm aufweist. In einigen Ausführungsformen haben die heiße Keimschicht in der hinteren Abschirmung und der Schreibspalt eine Querschnittsspurbreite, die im Wesentlichen äquivalent zu einer Querspurbreite zwischen Ecken der magnetischen Seitenschildhochdämpfungsschichten entlang einer Ebene ist, die den Hauptpol nachlaufend enthält Seiten - und Oberseitenflächen der Seitenspalte und hohen Ms-Seitenabschirmschichten. Ferner kann die magnetische Schicht mit hoher Dämpfungskonstante in der hinteren Abschirmung zwei Abschnitte aufweisen, wobei ein erster Abschnitt eine erste Dicke hat und eine obere Oberfläche des Schreibspaltes kontaktiert und ein zweiter Abschnitt entlang jeder Seitenwand der heißen Keimschicht ausgebildet ist und eine zweite aufweist Die größer ist als die erste Dicke. Von oben nach unten weist jede der seitlichen Abschirmschichten eine Hauptpol-gegenüberliegende Seite auf, die parallel zu mindestens einem Abschnitt der nächstgelegenen Hauptpolseite ist, und weist einen Verjüngungswinkel & agr; 1 in Bezug auf eine Ebene auf, die den Winkel halbiert Hauptpol und weist eine Rückseite in einer dritten Höhe von dem ABS auf. In einer anderen Ausführungsform kann jede Seitenabschirmung eine doppelte Verjüngung aufweisen, die aus einer Mehrzahl von Seiten besteht, die dem Hauptpol gegenüberliegt. In anderen Ausführungsformen können eine oder beide der zusammengesetzten vorderen Abschirmung und der zusammengesetzten hinteren Abschirmung einen zweiten Abschnitt aufweisen, der an die Rückseite eines ersten Abschnitts in der ersten Höhe bzw. zweiten Höhe angrenzt und eine Hauptpol-gegenüberliegende Seite aufweist, die ausgebildet ist Entlang einer Ebene, die orthogonal zu dem ABS ist. Verfahren zum Bilden der AWA-Abschirmungsstruktur, bei der sowohl die vordere Abschirmung als auch die Seitenabschirmungen und die hintere Abschirmung eine hohe Ms-Schicht umfassen, die an eine Spaltschicht angrenzt und eine zuvor beschriebene magnetische Hochdämpfungsschicht vorgesehen ist. Eine Öffnung ist zwischen zwei Seitenabschirmungen gebildet, die einen Abschnitt einer 10-19 kG-Schicht an der oberen Abschirmungsoberseite freilegen. Danach werden eine hochdämpfende magnetische Schicht, eine hohe Ms-Schicht und eine Spaltschicht sequentiell und konform auf den Seitenwänden und der Bodenoberfläche der Öffnung abgeschieden. Als nächstes wird die Hauptpolschicht plattiert, um die Öffnung zu füllen, und ein chemisch-mechanisches Polierverfahren wird durchgeführt, um eine ebene Oberseite des Hauptpols, den Seitenspalt und die Verbundseitenabschirmungen zu bilden, die die hohen Ms und die magnetischen Hochdämpfungsschichten einschließen. Der Schreibspalt und die hintere Abschirmungsschicht mit hoher Ms werden nacheinander auf der Oberseite des Hauptpols, den Seitenspalten, der Ms-Seitenabschirmungsschicht und der magnetischen Seitenabschirmungsschicht mit hoher Dämpfung gebildet. Danach wird die hohe Dämpfungsschicht in der hinteren Abschirmung entlang der Seitenwände und der oberen Oberfläche der hinteren Abschirmungsschicht hoher Ms durch ein Plattierungs - oder Sputterabscheidungsverfahren gebildet. Schließlich wird eine oberste Schicht in der ersten hinteren Abschirmung auf der hochdämpfenden hinteren Abschirmschicht gebildet. Herkömmliche Prozesse, um eine zweite hintere Abschirmungsschicht (PP3) zu bilden, und darüber liegende Schichten auf der zusammengesetzten ersten nachlaufenden Abschirmung werden dann durchgeführt. URL und weitere Informationen zu diesem Patent finden Sie unter: Tang, Yuhui Wei, Yaguang Lee, Jiun-Ting. Perpendicular Magnetic Recording (PMR) Schriftsteller mit Hybrid-Shield-Schichten. US-Patent mit der Nummer 9508364, eingereicht am 9. September 2015 und online veröffentlicht am 29. November 2016. Patent URL: patft. uspto. gov/netacgi/nph-ParserSect1PTO1ampSect2HITOFFampdPALLampp1ampu2Fnetahtml2FPTO2Fsrchnum. htmampr1ampfGampl50amps19508364.PN. ampOSPN/9508364RSPN/9508364 Schlüsselwörter für diese Meldung enthalten : Elektronik, Magnetischer Fluss, Headway Technologies Inc. Unsere Berichte liefern faktische Nachrichten aus Forschung und Entdeckungen aus der ganzen Welt. Produktbeschreibungen 1.Light, weich, staubfrei, Feuer, verzögernd, einfach anzubringen 2, Struktur: AL / XPE Schaum / AL 3.Size: 1.2 M Breite 40M Länge Dieses Einzelteil besteht aus AL / EPE / AL mehrschichtigen Obstruktionsmaterial. Es ist ein umweltfreundliches Produkt, das gute Hitzebewahrung und Isolierungseigenschaften hat. Die mittlere Schicht von EPE / AL zeigt. Kontakt Informationen für Weihai Fujingtang New Dekoration Products Co. Ltd. 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Ein PMR-Schreibkopf hat typischerweise eine Hauptpolschicht mit einer kleinen Oberfläche an einem ABS und Spulen, die einen Strom leiten und einen magnetischen Fluss in dem Hauptpol erzeugen, so dass der magnetische Fluss durch eine Schreibpolspitze austritt und in ein magnetisches Medium eintritt (Scheibe) neben dem ABS. Der magnetische Fluss wird verwendet, um eine ausgewählte Anzahl von Bits in dem magnetischen Medium zu schreiben und kehrt typischerweise zu dem Hauptpol über zwei Wege einschließlich einer nachlaufenden Schleife und einer führenden Schleife in einer Abschirmstruktur zurück. Die hintere Schleife weist eine nachlaufende Abschirmstruktur mit einer ersten und einer zweiten hinteren Abschirmungsseite an der ABS auf. Die zweite (PP3) nachlaufende Abschirmung wölbt sich über die Schreibspulen und verbindet sich mit einer Oberseite des Hauptpols über einer magnetischen Rückspaltverbindung. Die erste hintere Abschirmung hat eine Schicht mit hohem Moment (gt19 kG bis 24 kG), die eine heiße Keimschicht genannt wird, die an eine obere Oberfläche des Schreibspaltes angrenzt. Eine gute Reaktion des heißen Saatguts ist erforderlich, um Streufelder in den Seitenschildern und dem führenden Schild zu verringern und einen besseren Steigungsgradienten zu schaffen. Die Führungsschleife weist eine vordere Abschirmung mit einer Seite an dem ABS auf, die mit einem Rückführpfad in der Nähe des ABS verbunden ist. Der Rückführpfad erstreckt sich zu der Rückspaltverbindung und ermöglicht es, daß der magnetische Fluß in dem Führungsschleifenweg von dem vorderen Schild am ABS und durch die Rückspaltverbindung zum Hauptpol zurückkehrt. Ein PMR-Kopf, der die Merkmale eines einpoligen Schreibers und eines doppelschichtigen Mediums (Magnetplatte) kombiniert, hat einen großen Vorteil gegenüber dem LMR bei der Bereitstellung eines höheren Schreibfeldes, eines besseren Rücklesesignals und potentiell viel höherer Flächendichte. Sowohl bei der herkömmlichen (CMR) als auch bei der Schindel (SMR) - Magnetaufzeichnung ist eine kontinuierliche Verbesserung der Speicherbereichsdichte für einen PMR-Schreiber erforderlich. Ein Schreibkopf, der höhere Bits pro Inch (BPI) und höhere Spuren pro Inch (TPI) liefern oder verpacken kann, ist wesentlich für die Verbesserung der Flächendichte. Es ist ein vollständig um das Schilddesign für einen PMR-Schreibkopf gewickeltes Ziel erwünscht, bei dem die hintere Abschirmung für die Verbesserung des Abwärtsgeraden-Feldgradienten verantwortlich ist, während Seitenabschirmungen und eine führende Abschirmung die Quergleisfeldgradienten - und TPI - sowie die benachbarte Gleislöschleistung verbessern . Um eine breite benachbarte Spurlöschung (WATE) zu vermeiden, sind alle Abschirmungen vorzugsweise aus alt19 kG Material hergestellt. Eine doppelte Schreibschutz (DWS) Design verwendet werden können, wobei der Hauptmast und heißen Samen in der ersten hinteren Schild hoch vor (GT19 kG bis 24 kg) Material, während die führenden Schild und Seiten bestehen Schilde niedrigen Moment gemacht werden 10- 16 kG Material, und die hintere Schildstruktur besteht aus 16-19 kG Material. Wenn Beschreibbarkeit aufrechterhalten werden kann, eine dünnere Schreibspalt an der Hauptpol nachlauf (oben) Oberfläche und eine schmalere Seitenlücke Hauptpols Seiten in der Querspurrichtung angrenzende sind für ein besseres Spur Feldgradienten bevorzugt (Hygrad, BPI) und Quer Spur-Feldgradienten (Hygradx, TPI). Um die Schreibfähigkeit zu verbessern, ist die Reduzierung der Seitenabschirmung nicht nur wichtig, um das Hauptpolfluss-Nebenschlußsystem zu den Seitenabschirmungen zu verringern, sondern auch um ein größeres Hauptpolvolumen näher an dem ABS zu ermöglichen. Die Seitenabschirmungssättigung kann jedoch die Hygradx - und TPI-Fähigkeit beeinträchtigen und ist ein Problem mit fortgeschrittenen Seitenabschirmstrukturen mit einer Höhe von etwa 0,3 Mikron oder weniger. Der Schlüssel zu einer optimierten PMR-Schreiberstruktur ist die Fähigkeit, die Verteilung des magnetischen Flusses vom Hauptpol zu jeder Abschirmung zu steuern. Idealerweise ist eine bessere Steuerung des magnetischen Flusses im Nahfeld oder in der Nähe des Hauptpols wünschenswert, um einen verbesserten Nahfeldgradienten zu erreichen und einen höheren ADC zu realisieren. Typischerweise wird die Flussverteilung durch Ändern der magnetischen Sättigung (Ms) von Materialien in den Abschirmungen und durch Modifizieren von Geometrien (Größe und Form) der Abschirmungen gesteuert. Jedoch sind zusätzliche Verfahren zum Abstimmen der Magnetflussverteilung erforderlich, um eine bessere Kontrolle und Flexibilität zu ermöglichen, um PMR-Schreiber mit einer höheren TPI-Fähigkeit für mindestens 400 K / in für CMR und mindestens 500 K / in für SMR zu ermöglichen. Zusätzlich zu den Informationen Hintergrund für dieses Patent erhalten, erhalten VerticalNews Journalisten auch die Erfinder zusammenfassende Informationen für dieses Patent: Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine alle Wrap-around (AWA) Schildentwurf für ein PMR Schriftsteller zu schaffen, die ein Mittel ermöglicht von Die die magnetische Flussverteilung von dem Hauptpol zu den Abschirmungen steuert. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Verteilen des magnetischen Flusses vom Hauptpol zu den Abschirmungen gemäß dem ersten Objektiv bereitzustellen, das auch mit lt19 kG-Materialien in den Abschirmungen und den aktuellen Geometrien der Abschirmungen kompatibel ist. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es, ein Herstellungsverfahren für eine AWA-Schildstruktur bereitzustellen, das die ersten beiden Ziele erfüllt. Gemäß einer ersten Ausführungsform werden diese Ziele mit einem PMR Schriftsteller Schildanordnung mit einem AWA Design erreicht, wobei ein oder mehrere und vorzugsweise alle eines führenden Schild, Seitenschutz und hintere Schild sind Verbunde eine hohe Ms (GT19 bis 24 kG ) - Magnetschicht mit einer Hauptpol-zugewandten Seite, die an einen vorderen Spalt, einen Seitenspalt und einen Schreibspalt angrenzt, und eine zweite Schicht aus einem magnetischen Material von 10-19 kG mit einem hohen Gilbert-Dämpfungs - (HD) - Parameter a vorzugsweise gt0. 04, die an eine Seite angrenzt, die der Hauptpolpolseite gegenüberliegt, die der hohen Ms-Schicht zugewandt ist. Der Wert a bezieht sich auf die Gilbert-Dämpfungskonstante G gemäß der Gleichung GayMs, wobei a der Dämpfungsparameter, y das gyromagnetische Verhältnis und Ms der magnetische Sättigungswert ist. Zumindest in der nachlaufenden Abschirmung liegt eine dritte magnetische Schicht aus einem 10-19 kG-Material an der dem Hauptpol abgewandten Seite der hochdämpfenden Magnetschicht an. Optional sind die Seitenabschirmungen und die Schutzabschirmung vollständig aus einer HD-Magnetschicht hergestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist die magnetische Schicht mit hoher Dämpfung FeNiRe mit einem Re-Gehalt zwischen 3 und 15 Atom. Jedoch können auch andere Legierungen, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf FeCoRe, FeCoNiRe, FENIM, FECOM und FeCoNiM wobei M eines von Os, Ir, Rh, Ti, Ta, V, Cr, W, Mn, Mo, Cu, Zr, Nb, Hf, Ru, Pd, Pt, Ag und Au können auch als magnetische Hochdämpfungsschicht verwendet werden. In einer Ausführungsform hat der Hauptpol eine sich verjüngende vordere Seite, die sich von dem ABS zu einer ersten Ecke erstreckt, wo die sich verjüngende vordere Seite mit einer Hauptpol-Vorderseite schneidet, die orthogonal zu dem ABS ausgebildet ist. Ebenso kann der Hauptpol eine sich verjüngende rückwärtige Seite aufweisen, die sich von dem ABS zu einer zweiten Ecke erstreckt, wo sich die verjüngte hintere Seite mit einer Hauptpol-Nachlaufseite schneidet, die senkrecht zum ABS ausgebildet ist. Hauptpol-gegenüberliegende Flächen der vorderen Abschirmschichten können im Wesentlichen parallel zur Hauptpol-verjüngten vorderen Seite ausgebildet sein, und jede vordere Abschirmungsschicht weist eine Rückseite auf, die entlang einer Ebene ausgebildet ist, die eine erste Höhe von der ABS ist, wobei die erste Höhe größer sein kann Abstand von der ABS als die erste Ecke. In ähnlicher Weise können die Hauptpol-gegenüberliegenden Flächen der zusammengesetzten hinteren Abschirmung im Wesentlichen parallel zur Hauptpol-verjüngten hinteren Seite ausgebildet sein, und jede hintere Abschirmungsschicht weist eine Rückseite auf, die entlang einer zweiten Ebene ausgebildet ist, die eine zweite Höhe von der ABS ist, wo die zweite Höhe ist Einen größeren Abstand von der ABS als die zweite Ecke. Aus einer ABS-Ansicht kann der Hauptpol eine trapezförmige Form aufweisen, wobei eine hintere Seite eine Spurbreite (TW) aufweist, die größer ist als eine Querspurbreite der vorderen Seite. Darüber hinaus kann jede der Seitenabschirmschichten eine Hauptpolseite aufweisen, die einer Seitenspaltschicht benachbart ist und im Wesentlichen parallel zur nächsten Hauptpolseite ist. Die an jeden Seitenspalt anschließende hohe Ms-Schicht weist eine Spurbreite von 20 bis 70 nm auf, während die magnetische Schicht mit hoher Dämpfungskonstante auf jeder Seite des Hauptpols eine Spurweite von mindestens 30 nm aufweist. In einigen Ausführungsformen haben die heiße Keimschicht in der hinteren Abschirmung und der Schreibspalt eine Querschnittsspurbreite, die im Wesentlichen äquivalent zu einer Querspurbreite zwischen Ecken der magnetischen Seitenschildhochdämpfungsschichten entlang einer Ebene ist, die den Hauptpol nachlaufend enthält Seiten - und Oberseitenflächen der Seitenspalte und hohen Ms-Seitenabschirmschichten. Weiterhin kann die magnetische Schicht mit hoher Dämpfungskonstante in der hinteren Abschirmung zwei Abschnitte aufweisen, wobei ein erster Abschnitt eine erste Dicke aufweist und eine obere Oberfläche des Schreibspaltes kontaktiert und ein zweiter Abschnitt entlang jeder Seitenwand der heißen Keimschicht ausgebildet ist und eine zweite aufweist Die größer ist als die erste Dicke. Von oben nach unten weist jede der seitlichen Abschirmschichten eine Hauptpol-gegenüberliegende Seite auf, die parallel zu mindestens einem Abschnitt der nächstgelegenen Hauptpolseite ist, und weist einen Verjüngungswinkel & agr; 1 in Bezug auf eine Ebene auf, die den Winkel halbiert Hauptpol und weist eine Rückseite in einer dritten Höhe von dem ABS auf. In einer anderen Ausführungsform kann jede Seitenabschirmung eine doppelte Verjüngung aufweisen, die aus einer Mehrzahl von Seiten besteht, die dem Hauptpol gegenüberliegt. In anderen Ausführungsformen können eine oder beide der zusammengesetzten vorderen Abschirmung und der zusammengesetzten hinteren Abschirmung einen zweiten Abschnitt aufweisen, der an die Rückseite eines ersten Abschnitts in der ersten Höhe bzw. zweiten Höhe angrenzt und eine Hauptpol-gegenüberliegende Seite aufweist, die ausgebildet ist Entlang einer Ebene, die orthogonal zu dem ABS ist. Verfahren zum Bilden der AWA-Abschirmungsstruktur, bei der sowohl die vordere Abschirmung als auch die Seitenabschirmungen und die hintere Abschirmung eine hohe Ms-Schicht umfassen, die an eine Spaltschicht angrenzt und eine zuvor beschriebene magnetische Hochdämpfungsschicht vorgesehen ist. Eine Öffnung ist zwischen zwei Seitenabschirmungen gebildet, die einen Abschnitt einer 10-19 kG-Schicht an der oberen Abschirmungsoberseite freilegen. Danach werden eine hochdämpfende magnetische Schicht, eine hohe Ms-Schicht und eine Spaltschicht sequentiell und konform auf den Seitenwänden und der Bodenoberfläche der Öffnung abgeschieden. Als nächstes wird die Hauptpolschicht plattiert, um die Öffnung zu füllen, und ein chemisch-mechanisches Polierverfahren wird durchgeführt, um eine ebene Oberseite des Hauptpols, den Seitenspalt und die Verbundseitenabschirmungen zu bilden, die die hohen Ms und die magnetischen Hochdämpfungsschichten einschließen. Der Schreibspalt und die hintere Abschirmungsschicht mit hoher Ms werden nacheinander auf der Oberseite des Hauptpols, den Seitenspalten, der Ms-Seitenabschirmungsschicht und der magnetischen Seitenabschirmungsschicht mit hoher Dämpfung gebildet. Danach wird die hohe Dämpfungsschicht in der hinteren Abschirmung entlang der Seitenwände und der oberen Oberfläche der hinteren Abschirmungsschicht hoher Ms durch ein Plattierungs - oder Sputterabscheidungsverfahren gebildet. Schließlich wird eine oberste Schicht in der ersten nachlaufenden Abschirmung auf der hochdämpfenden hinteren Abschirmschicht gebildet. Herkömmliche Prozesse, um eine zweite hintere Abschirmungsschicht (PP3) zu bilden, und darüber liegende Schichten auf der zusammengesetzten ersten nachlaufenden Abschirmung werden dann durchgeführt. URL und weitere Informationen zu diesem Patent finden Sie unter: Tang, Yuhui Wei, Yaguang Lee, Jiun-Ting. Perpendicular Magnetic Recording (PMR) Schriftsteller mit Hybrid-Shield-Schichten. US-Patent mit der Nummer 9508364, eingereicht am 9. September 2015 und online veröffentlicht am 29. November 2016. Patent URL: patft. uspto. gov/netacgi/nph-ParserSect1PTO1ampSect2HITOFFampdPALLampp1ampu2Fnetahtml2FPTO2Fsrchnum. htmampr1ampfGampl50amps19508364.PN. ampOSPN/9508364RSPN/9508364 Schlüsselwörter für diese Meldung enthalten : Elektronik, Magnetischer Fluss, Headway Technologies Inc. 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